20世紀 60年代 中期 ，半導體基 片拋 光大部分沿用機械拋光 ，所得 的鏡面表面損傷極其嚴重。1965年提出 Si02溶膠和凝膠拋光后 ，以 SiO2為代表的化學(xué)機械拋光(CMP)I藝技術(shù) 逐漸代替傳統的機械拋光。 自 1996年以來(lái) ，隨著(zhù) 電子工業(yè)的發(fā)展，作為硅晶片拋光液的原 料硅溶膠的需求量激增。所謂拋光劑由 SiO2粉體 、水、分散穩定劑 、潤濕調節劑 、pH調節 劑和表面處理劑組成 ，Si02的質(zhì)量分數 高可達 60％，產(chǎn)品的粘度<0．1Pa．S，重力沉降性能 為 1a以上 ，是 一種性 能優(yōu) 良的 CMP技術(shù)用 的拋 光材料 ，能用于硅片的粗拋 和精拋 ，以及 Ic 加工過(guò)程 ，特別適用于大規模集成電路多層化薄膜的平坦化加工 ，也可用于晶圓的后道 CMP清洗等半導體器件 、平面顯示器 、多晶化模組 、微電機系統 、光導攝像管等的加工過(guò) 程 。